特許
J-GLOBAL ID：200903068812882626
昇圧型アクティブフィルタ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060586
公開番号（公開出願番号）：特開平5-268762
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 昇圧型アクティブフィルタ回路において、整流素子による電力損失をパワーMOSFETの逆出力特性を利用することで低減させ、効率の向上を図る。【構成】 整流ダイオードの代わりにパワーMOSFETを用い、第1のパワーMOSFET(3)がオフした時に1次、2次巻線を備えたチョークコイルの2次巻線に発生する逆起電圧を第2のパワーMOSFET(5)のゲートに順電圧を印加し、第2のパワーMOSFETの逆出力特性から第2のパワーMOSFETのソース・ドレイン間に発生するオン電圧を低下させる。
請求項（抜粋）：
電源電力を高周波に変換する第1のパワーMOSFETと、該第1のパワーMOSFETに所定の周波数でオン・オフ信号を出力する制御回路と、前記第1のパワーMOSFETによって高周波に変換された電力を直流に変換する整流平滑部とを有する昇圧型アクティブフィルタ回路において、前記整流平滑部は、整流用のパワーMOSFETを有し、前記第1のパワーMOSFETがオフしたときに、一次及び二次巻線を備えたチョークコイルの二次巻線に発生する逆起電圧を前記第2のパワーMOSFETのゲート・ソース間に印加し、前記第2のパワーMOSFETの逆出力特性に基づいて、前記第2のパワーMOSFETのソース・ドレイン間に発生するオン電圧を低下させることを特徴とする昇圧型アクティブフィルタ回路。
IPC (4件)：
H02M 3/155
, G05F 1/10
, H02J 1/02
, H02M 7/06
