レジスト下層膜用組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158672
公開番号（公開出願番号）：特開2000-347415
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【目的】レジストとの密着性に優れ、レジストを露光した後に使用する現像液に対する耐性に優れ、かつレジストの酸素アッシング時の膜減りの少ないレジスト下層膜用組成物を得る。【構成】 (A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方R<SP>1</SP><SB>a</SB>Si(OR<SP>2</SP>)<SB>4-a</SB> ・・・・・(1)(R<SP>1</SP>は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される化合物の少なくとも1種R<SP>2</SP><SB>3</SB>SiQ (2)[R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、-OR<SP>3</SP>、-OSiR<SP>3</SP><SB>3</SB><SB><HAN>、</SB></HAN>-NHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、-NHCONHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、および-OC(CH3)=NSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>(ただしR<SP>3</SP>は1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示す。]を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方R<SP>1</SP><SB>a</SB>Si(OR<SP>2</SP>)<SB>4-a</SB> ・・・・・(1)(R<SP>1</SP>は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される化合物の少なくとも1種R<SP>2</SP><SB>3</SB>SiQ (2)[R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、-OR<SP>3</SP>、-OSiR<SP>3</SP><SB>3</SB><SB><HAN>、</SB></HAN>-NHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、-NHCONHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、および-OC(CH3)=NSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>(ただしR<SP>3</SP>は1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示す。]を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/11 503 , C08K 5/541 , C08L 83/04 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/11 503 , C08L 83/04 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 511 , C08K 5/54 , H01L 21/30 573

Fターム (34件)：

2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025BE00 , 2H025CB33 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025DA25 , 2H025DA36 , 2H025FA41 , 4J002CP021 , 4J002CP031 , 4J002CP041 , 4J002CP051 , 4J002CP071 , 4J002CP091 , 4J002CP141 , 4J002EQ037 , 4J002EU187 , 4J002EV217 , 4J002EV237 , 4J002EV297 , 4J002EV327 , 4J002EX026 , 4J002EX036 , 4J002EX076 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GP03 , 4J002HA05 , 4J002HA08 , 5F046HA01 , 5F046MA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-287666 出願人：三菱電機株式会社
コーティング用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-296953 出願人：東レ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211699 出願人：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社

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