特許

J-GLOBAL ID：200903068819356571

半導体装置

発明者： 國松 廉可
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253346
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183470
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】スイッチングノイズを最小限に抑制することができるとともに、デカップリングコンデンサの半導体素子からの剥離を確実に防止することができる半導体装置を提供する。【構成】絶縁性基板と、この絶縁性基板に配置された半導体素子2と、この半導体素子2の上面に接合され、半導体素子2と電気的に接続されたデカップリングコンデンサ3とを有する半導体装置であって、デカップリングコンデンサと半導体素子の熱膨張係数の差が0.8×10-6/°C以下であるとともに、デカップリングコンデンサを導電性接合剤3Aにより半導体素子に電気的に接続してなるものである。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、この絶縁性基板に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面に接合され前記半導体素子と電気的に接続されたデカップリングコンデンサとを有する半導体装置であって、前記デカップリングコンデンサと前記半導体素子の熱膨張係数の差が0.8×10-6/°C以下であるとともに、前記デカップリングコンデンサを導電性接合剤により前記半導体素子に電気的に接続してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/40 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/40 A ,  H01L 23/12 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-239168
  
• 特開平4-239168