特許

J-GLOBAL ID：200903068819533708

半導体装置の製造法

発明者： 檜森 宏次 ,  石坂 裕宣
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221616
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043273
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】250μm未満の半導体チップを、搭載した後でも破損しないように製造する方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエハの、複数の素子パターンが形成された表面の、素子間に、切り込みを入れて溝を形成する工程と、半導体ウエハの、複数の素子パターンが形成された表面を保護し、ワークプレート上に固定する工程と、半導体ウエハの、複数の素子パターンが形成された表面の裏面を、スピンエッチングで、半導体チップの厚さが250μm未満となるように厚さ方向にエッチング除去し、前記素子パターンをチップ単位に分割する工程と、からなる半導体装置の製造法。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの、複数の素子パターンが形成された表面の、素子間に、切り込みを入れて溝を形成する工程と、半導体ウエハの、複数の素子パターンが形成された表面を保護し、ワークプレート上に固定する工程と、半導体ウエハの、複数の素子パターンが形成された表面の裏面を、スピンエッチングで、半導体チップの厚さが250μm未満となるように厚さ方向にエッチング除去し、前記素子パターンをチップ単位に分割する工程と、からなる半導体装置の製造法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/306 C ,  H01L 21/78 S

Fターム (4件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD01 ,  5F043GG01