積層チップバリスタの製造方法および積層チップバリスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小柴雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-223336
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143910
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】積層チップバリスタの外部電極の最外層に半田付け性の良好な金属膜を電気めっきにより形成するとき、めっき液が原因でバリスタ本体の欠陥が生じたり、バリスタ本体の不所望な部分にめっき膜が成長したりする。【解決手段】外部電極5を形成するため、バリスタ本体4の外表面上に金属成分とガラス成分とを含む第1層6、第1層6上および第1層6から露出しているバリスタ本体4の外表面上にガラス成分を含む第2層7および第1の絶縁層11、第2層7および第1の絶縁層11上にガラス成分を含む第3層8および第2の絶縁層12、第3層8上に金属成分を含む第4層9をそれぞれ熱処理によって形成し、第4層9上に半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜をもって第5層10を形成する。第2層7および第3層8には、熱処理において第4層9に含まれる金属成分が拡散する。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛系セラミック材料からなる複数のバリスタ層および前記バリスタ層を介して互いに対向する少なくとも1対の内部電極を含む、バリスタ本体を用意し、前記内部電極の特定のものに電気的に接続されるように、前記バリスタ本体の外表面上の特定の部分に、金属成分とガラス成分とを付与し、熱処理することによって、外部電極のための第1層を形成し、前記第1層上に、ガラス成分を付与し、熱処理することによって、前記第1層上に外部電極のための第2層を形成し、前記第2層上に、前記第2層の形成のために付与されたガラス成分とは異なるガラス成分を付与し、熱処理することによって、前記第2層上に外部電極のための第3層を形成し、前記第3層上に、前記第1層の形成のために付与された金属成分とは異なる金属成分を付与し、前記第1層の形成のために適用された熱処理条件と実質的に同じ条件で熱処理することによって、外部電極のための第4層を形成し、前記第4層上に、半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を形成することによって、外部電極のための第5層を形成する、各工程を備え、前記第4層を形成するための熱処理において、前記第4層に含まれる金属成分を前記第2層および前記第3層中へ拡散させることが行なわれる、積層チップバリスタの製造方法。

Fターム (10件)：

5E034CA06 , 5E034CB01 , 5E034CC03 , 5E034DA07 , 5E034DC01 , 5E034DC03 , 5E034DC05 , 5E034DC06 , 5E034DC09 , 5E034DE07

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