Cu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：富田和夫 , 鴨井久太郎 , 影山秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-351527
公開番号（公開出願番号）：特開2008-163367
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】Cu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】Seを不活性ガス中で加熱して固液共存状態になるように溶解し、その中にCuを投入してCu-Se二元系合金溶湯を作製し、このCu-Se二元合金溶湯にInを少量ずつ投入し溶解してCu-Se-In三元系合金溶湯を作製し、得られたCu-Se-In三元合金溶湯にGaを投入して温度を上昇させることによりCu-In-Ga-Se四元合金溶湯を作製し、得られたCu-In-Ga-Se四元系合金溶湯を鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを乾式粉砕してCu-In-Ga-Se四元系合金粉末を作製し、このCu-In-Ga-Se四元系合金粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Se(セレン)を不活性ガス中で加熱してSeの固体と液体が共存している状態になるように溶解し、その中に銅(Cu)を投入してCu-Se二元系合金溶湯を作製し、このCu-Se二元合金溶湯にインジウム(In)を少量ずつ投入し溶解してCu-Se-In三元系合金溶湯を作製し、得られたCu-Se-In三元合金溶湯にガリウム(Ga)を投入して温度を上昇させることによりCu-In-Ga-Se四元合金溶湯を作製し、得られたCu-In-Ga-Se四元系合金溶湯を鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを乾式粉砕してCu-In-Ga-Se四元系合金粉末を作製し、このCu-In-Ga-Se四元系合金粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスすることを特徴とするCu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 31/04

FI (2件)：

C23C14/34 A , H01L31/04 E

Fターム (8件)：

4K029BA21 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 4K029DC09 , 5F051AA10 , 5F051CB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3249408号明細書

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