特許
J-GLOBAL ID:200903068835138940

ろう接方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-182217
公開番号(公開出願番号):特開平6-029444
出願日: 1992年07月09日
公開日(公表日): 1994年02月04日
要約:
【要約】【目的】 AlNとNi合金を銀ろうを介してろう接する時に、AlNのクラック発生を防止して信頼性の高いろう接方法を提供することを目的としている。【構成】 半導体装置のAlNから成る基台3の下部にNi合金製のリードピン6を銀ろう5を介してろう接する際に、銀ろう濡れ角θがほぼ11〜38度程度の範囲になるようにすると共に、銀ろう5がリードピン6の端面から基台3側に引いた垂線上からほぼ完全にはみ出すように銀ろう5の量を調整してろう接を行う。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウムとニッケル合金とを銀ろうを介してろう接する時に、前記窒化アルミニウムと銀ろうとのろう接部端の角度が、ほぼ11度乃至38度の範囲になるようにすると共に、前記銀ろうが前記ニッケル合金の端面から前記窒化アルミニウム側に引いた垂線上からほぼ完全にはみ出すように前記銀ろうの量を調整してろう接を行うことを特徴とするろう接方法。

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