特許
J-GLOBAL ID：200903068839441478
SiN系絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090340
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297182
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【構成】 ウェハ上の下層SiO系絶縁膜5上にSiN系絶縁膜6を形成するに際し、SiO系絶縁膜5を閉鎖雰囲気下で成膜後、RCA洗浄を行うことなく、前記ウェハが大気から遮断された状態に維持したままRTN処理およびCVDを行うことによりSiN系絶縁膜を成膜する。【効果】 インキュベーションタイム自体が低減されると共に、このバラツキも低減されるため、SiN系絶縁膜の膜厚の安定化が図れる。このため、これをメモリ素子のゲート絶縁膜として形成すると、デバイスの動作特性が均一化する。また、SiN系絶縁膜の膜質も向上するため、ゲート絶縁膜の絶縁耐性が向上し、デバイスの信頼性を高めることができる。
請求項（抜粋）：
基板上のSiO系絶縁膜上にSiN系絶縁膜を形成するに際し、SiO系絶縁膜を所定の閉鎖雰囲気下で成膜後、前記基板を大気から遮断された状態に維持したまま急速熱窒化処理およびCVDを順次行うことによりSiN系絶縁膜を成膜することを特徴とするSiN系絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/318
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
