特許
J-GLOBAL ID:200903068841873016
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-044437
公開番号(公開出願番号):特開2007-114719
出願日: 2006年02月21日
公開日(公表日): 2007年05月10日
要約:
【課題】活性光線又は放射線によるパターン形成用として、感度、解像力、パターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが小さく、更には、表面ラフネスが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)特定の繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂(C)特定の一般式で表される低分子ラクトン化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂及び、
(C)下記一般式(1)で表される低分子化合物及び/又は下記一般式(2)で表される低分子化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
Fターム (13件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025CC20
引用特許: