電界効果トランジスタとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339850
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176843
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】電力利得と雑音特性を悪化させることなく、電流利得遮断周波数fTと相互コンダクタンスGmとを高くできる高周波特性の優れた安価な電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】表面に活性層である低抵抗層が形成された化合物半導体基板と、低抵抗層上に、所定の間隔を隔てて互いに対向するように形成されたソース電極とドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に、低抵抗層より高い抵抗を有する高抵抗層を介して設けられたゲート電極とを備え、高抵抗層の少なくとも一部分が上記ゲート電極のゲート長(ゲート電極の幅)より狭くなるように形成され、かつゲート電極の金属を高抵抗層のゲート電極より狭く形成された部分まで拡散させた。

請求項（抜粋）：

表面に活性層である低抵抗層が形成された化合物半導体基板と、上記低抵抗層上に、上記低抵抗層より高い抵抗を有する高抵抗層を介して形成されたゲート電極とを備えた電界効果トランジスタであって、上記高抵抗層の少なくとも一部分を上記ゲート電極長(ゲート電極の幅)より狭くなるように形成しかつ上記ゲート電極の金属を上記高抵抗層の上記ゲート電極長より狭く形成された部分まで拡散させたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/44 Z

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