特許
J-GLOBAL ID：200903068844047885
熱電気変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290134
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315655
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 従来のP型及びN型半導体素子の有する欠点,即ち,素子材の先端接合点での熱歪み等によるクラック破壊や煤汚染等による熱電特性の劣化を生ぜしめない機構を有する熱電気変換装置を提供すること。【構成】 熱電気変換装置は,Mnを含むFeSi2 からなるP型半導体素子1と,Coを含むFeSi2 からなるN型半導体素子2とを備えている。P型及びN型半導体素子1,2は,夫々の端面が筒状導体3の外周に接合されている。
請求項（抜粋）：
Mnを含むFeSi2 からなるP型半導体素子と,Coを含むFeSi2 からなるN型半導体素子とで形成される熱電気変換装置において,前記P型及びN型半導体素子を貫通孔を有する導体の壁部に接合したことを特徴とする熱電気変換装置。
IPC (3件)：
H01L 35/14
, G01K 7/02
, H01L 35/32
