特許
J-GLOBAL ID：200903068849105760
ウェーハ製造された電気音響トランスデューサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-512922
公開番号（公開出願番号）：特表2001-500258
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：
【要約】電気絶縁性の基板(19)、トランスデューサの第1の電極を形成する基板の上面の一部を覆って配置される導電性材料の層(16)、トランスデューサの第2の電極を形成し、第1の電極に対して撓むことが可能である導電性のダイアフラム(22)、及び、第1及び第2の電極を電気的、物理的に分離し、互いに離間した位置関係に保持してコンデンサを構成するための構造(18)を備える容量性電気音響トランスデューサ。このトランスデューサは基板及びダイアフラムがほぼ同じ熱膨張係数を有する材料にて形成されることに部分的に起因する高い熱安定性を示す。この特徴により、温度が変化する場合にもダイアフラムの張力は一定に維持されるため、トランスデューサの感度が一定に維持される。更に、第1の電極と第2の電極との間の間隔を最小化して熱膨張の経路を短くすることが可能である。この短い経路長により温度変化に伴うトランスデューサの応答の変化は最小に抑えられる。更に、このトランスデューサはバッチ製造することが可能である。
請求項（抜粋）：
容量性電気音響トランスデューサであって、 (a)電気絶縁性の基板と、 (b)前記基板の上面の一部に配置され、トランスデューサの第1の電極を形成する導電性材料の層と、 (c)トランスデューサの第2の電極を形成し、前記第1の電極に対して撓むことが可能な導電性ダイアフラムと、 (d)前記第1及び第2の電極を電気的、物理的に分離するための手段であって、該第1及び第2の電極を互いに離間した位置関係に保持することによりコンデンサを構成し、前記第1及び第2の電極間に形成される電場が第2の電極の撓みに応じて変化することにより電気信号と音響信号との間の変換が行われる前記分離手段とを備えるトランスデューサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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