半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025321
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219419
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】ダイシングおよびボンディング効率の向上を図ることができると共に、実装密度が高く、機器の小形化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体ウェハ11に形成された多数個の半導体素子12のうち隣接する2個の半導体素子12を1組とし、前記半導体素子組12Aを回路基板としてのTABテープ13の配線パターン15にインナリードボンディングすることにより実装したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに形成された多数個の半導体素子のうち隣接する複数個の半導体素子を1組とし、前記半導体素子が前記組み単位として被実装部位に実装されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , G02F 1/1345 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/60 311 R , G02F 1/1345 , H01L 21/78 R

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