特許

J-GLOBAL ID：200903068858523248

半導体装置の製造方法

発明者： 谷 智船
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065134
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236608
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 素子分離を行う際のパターニング後の寸法変換差をより小さくして、従来以上に微細化、高集積化を図る。【構成】 シリコン基板1上に、絶縁膜2、多結晶シリコン膜、酸化シリコン膜を順次堆積させ、フォトリソグラフィーによりレジストを形成し、更にレジストをマスクとして、ウェットエッチングにより酸化シリコン膜をパターニングし、フィールド・シールドのゲート上部絶縁膜6を形成する。レジストはアッシングによって除去する。次に、フィールド・シールドのゲート上部絶縁膜6をマスクとして、多結晶シリコン膜に対してドライエッチングを行い、フィールド・シールドのゲート電極7を形成する。その後、フィールド・シールドのゲート電極7の側壁部に熱酸化を行ってゲート電極7の側壁の露出した部分に酸化シリコン膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜、多結晶シリコン膜、酸化シリコン膜を順次堆積させる工程と、前記酸化シリコン膜をパターニングしてフィールドシールドのゲート上部絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート上部絶縁膜をマスクとして前記多結晶シリコン膜をパターニングし、フィールドシールドのゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の露出した側壁部を熱酸化して第二の絶縁膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。