III -V族混晶半導体、半導体発光素子、III -V族混晶半導体の製造方法及び半導体発光素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-286056
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133840
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】本発明はNの取り込まれ効率を向上させて結晶性の良好なIII -V族混晶半導体、III -V族混晶半導体の製造方法、III -V族混晶半導体を発光層とする半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体1は、MOCVD法のサセプターにGaAs基板2をセットし、GaAs基板2を加熱制御しつつ、III 族原料としてTMA等を、As原料としてAsH3 を、窒素原料として有機系窒素化合物であるDMHy等を、キャリアガスとして水素を使用して、これらの原料ガスとキャリアガスを同時に反応室内に供給して成長させる。原料ガスの熱分解とGaAs基板2の表面反応により結晶成長して、GaAs基板2上に順次GaAsバッファ層3、AlGaAs層4、GaAs層5、AlGaInNAs量子井戸層6、GaAs層7及びAlGaAs層8が積層され、Nと他のV族元素を含んだIII -V族混晶半導体として、AlGaInNAs層6を有する半導体1を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

V族元素としてN及び少なくとも他の1種類以上のV族元素を含むIII -V族混晶半導体において、少なくともIII 族元素としてAlを、V族元素としてN及びAsを同時に含むことを特徴とするIII -V族混晶半導体。

Fターム (9件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA39 , 5F041CA65 , 5F041CB04

前のページに戻る