特許
J-GLOBAL ID：200903068867705766
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-257716
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086575
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 回路規模の増加を最低限に抑えつつ,データプログラムに要する最大時間を測定することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置としてのフラッシュメモリ1は,ベリファイ回路VC,書き込み制御回路WCC,書き込みカウンタWCT,メモリセルMC,トランジスタTr,抵抗素子R1,および適合信号無効化手段11から構成されている。かかる構成によれば,ベリファイ回路から出力されるベリファイパス信号VPASSは,適合信号無効化手段によって無効化される。したがって,書き込み制御回路は,書き込みカウンタによって予め設定されている回数,プログラム処理を反復する。そして,このプログラムにかかる時間は,トランジスタから出力される書き込み動作表示信号BUSYを測定する事によって把握可能である。
請求項（抜粋）：
データを格納することが可能なメモリセルと;前記メモリセルに格納されたデータの検証を行い,所定の結果が得られた場合に,適合信号を出力する検証回路と;前記適合信号が入力されるまで,前記メモリセルに対するデータの書き込み処理を反復する書き込み制御回路と;前記メモリセルへのデータの書き込み処理中に所定のモニタ信号を出力するモニタ手段と;を備えた不揮発性半導体記憶装置において:前記書き込み制御回路による前記メモリセルに対するデータ書き込み処理が所定の回数反復されている期間は,前記適合信号を無効とすることが可能な適合信号無効化手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 611 E
