特許

J-GLOBAL ID：200903068868456409

半導体及び他の材料の気相堆積用基板及び方法

発明者： ティエン-ヘン チウ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310207
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250425
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】 本発明は半導体及び他の材料の気相堆積用基板及び方法を提供する。【解決手段】 化学気相堆積により材料を成長させるための新しい基板は、基板の一部に成長阻止材料(たとえば、SiOx又はSiNx)の被膜を形成することにより作成された温度モニタ領域を含む。基板の温度は所望の材料の成長中、温度モニタ領域に向けられた視野を有する光学的高温計を用いて、モニタできる。

請求項（抜粋）：

成長阻止材料の温度モニタ領域を有し、温度モニタ領域は少くとも約3mm2 の面積を有するウエハを含む半導体成長用基板。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C30B 25/10 ,  G01J 5/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 25/10 ,  G01J 5/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66