特許
J-GLOBAL ID：200903068869978468
半導体集積回路のシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-042173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-240788
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 規定された絶対ばらつき範囲および相対ばらつき範囲を考慮したワーストケース・シミュレーションを行う、半導体集積回路のシミュレーション方法を提供する。【解決手段】 入力装置104には、回路シミュレーションで用いる回路接続情報、解析条件に加えて、整合のある素子同士を同一番号で示す相対指定と、抵抗素子の絶対ばらつき範囲と相対ばらつき範囲からなるばらつき範囲が格納されている。ばらつきモデル構成101では、規定された絶対ばらつき範囲および相対ばらつき範囲から素子パラメータの取り得る最大値および最小値を求めてばらつきモデルとする。回路シミュレーション処理102ではばらつきモデルを用いて相対ばらつきを考慮したワーストケース・シミュレーションを行う。結果表示103でシミュレーション結果を表示する。
請求項（抜粋）：
規定された絶対ばらつき範囲および相対ばらつき範囲から素子パラメータの取り得る最大値および最小値、すなわち相対ばらつきを考慮したワーストケースの素子パラメータを求めてばらつきモデルとするばらつきモデル構成段階と、前記ばらつきモデルを用いて相対ばらつきを考慮したワーストケース・シミュレーションを行う回路シミュレーション段階を有する、半導体集積回路のシミュレーション方法。
IPC (3件)：
G06F 17/50
, G06F 17/00
, H01L 29/00
G06F 15/60 662 G
, H01L 29/00
, G06F 15/20 D
