特許
J-GLOBAL ID：200903068871576610
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353073
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043692
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 容易に高出力化を図ることができる窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 p側コンタクト層43が、共振器方向Aにおける活性層30の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。または、p側コンタクト層43とp側電極52との間に、絶縁層または高抵抗層が、共振器方向Aにおける活性層30の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。これにより、活性層30の共振器方向Aにおける両端部は電流不注入領域となっており、電流注入領域は共振器方向Aにおける両端部を除く他の領域においてp側コンタクト層43に対応した部分となっている。従って、共振器端面1a,1bおよびその近傍領域における非発光再結合が効果的に防止されるので、共振器端面1a,1bおよびその近傍領域の温度の上昇が抑制され、CODが防止される。
請求項（抜粋）：
3B族元素のうちの少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりそれぞれなるn型半導体層,活性層およびp型半導体層が順次積層されると共に、前記n型半導体層に対してn側電極がオーミック接触され、前記p型半導体層に対してp側電極がオーミック接触された半導体レーザであって、前記p型半導体層は、共振器方向における活性層の少なくとも一方の端部を除く他の領域に対応して前記p側電極とオーミック接触するp側コンタクト層を有しており、前記活性層の共振器方向における少なくとも一方の端部は電流不注入領域とされたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA87
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA29
, 5F073DA35
, 5F073EA28
