特許

J-GLOBAL ID：200903068876688831

保護膜

発明者： 伊藤 健二
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372509
公開番号（公開出願番号）：特開平11-269648
出願日： 1988年03月02日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：

【要約】【課題】 被形成面に対して損傷を与えずに炭素被膜を形成する。【解決手段】 被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する。

請求項（抜粋）：

磁性体上に設けられた保護膜であって、前記保護膜は、炭素または炭素を主成分とする被膜であり、アモルファスまたはセミアモルファス構造を有し、前記磁性体にスパッタによる損傷を与えることなく形成されたことを特徴とする保護膜。

IPC (5件)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/72 ,  B32B 9/00

FI (5件)：

C23C 16/26 Z ,  C01B 31/02 101 Z ,  G11B 5/187 K ,  G11B 5/72 ,  B32B 9/00 A