特許

J-GLOBAL ID：200903068877193330

半導体素子およびその製造方法

発明者： 宮永 良子 ,  内田 正雄 ,  高橋 邦方 ,  北畠 真 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-140864
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243323
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 電極パッド及び配線と電極とを良好に接着させ、高電圧下で大電流での駆動が可能なSiCからなる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子は、SiC基板1と、SiC基板1の上に設けられたSiC層2と、SiC層2の上に順に設けられたショットキー電極7及び上面電極パッド4と、SiC基板1の裏面上に設けられたNiからなるオーミック電極3と、オーミック電極3の上に設けられ、Ti層5とAu層6とからなる裏面電極パッド14とを備えている。オーミック電極3の上面にはNi炭化物を除去する処理が施されているため、Ti層5との接着が強固となっている。これにより、オーミック電極3において接触不良による抵抗の増大を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

SiC層と、上記SiC層の上に設けられたオーミック電極とを備えた半導体素子であって、上記オーミック電極の上面上に生じた金属の炭化物または炭素粒子を除去する処理が施されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 B ,  H01L 29/78 301 B

Fターム (34件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD52 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF34 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F140AA00 ,  5F140AA10 ,  5F140AA29 ,  5F140BA02 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK28 ,  5F140BK37 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CA10 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03