結晶シリコン半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145069
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326177
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】半導体装置として必要な所定の厚さの多結晶シリコン層を効率よく形成することのできるコスト的に有利な結晶シリコン半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】基板1の上に、(111)面に配向させた多結晶シリコン層3と、Niより構成される金属触媒層4と、多結晶シリコン層5を順に形成し、さらに、この上に所定の厚さの非晶質シリコン層6を形成した後、熱処理を施すことによって金属触媒層4からNi元素を非晶質シリコン層6の中に拡散させ、これにより非晶質シリコン層6を多結晶シリコン層6′に結晶化させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された所定の配向性を有する1導電型の多結晶シリコン層と、前記1導電型の多結晶シリコン層を種結晶層とすることにより、その上に形成された実質的に真性な非晶質シリコン層の結晶化に基づいて形成された所定の配向性を有する実質的に真性な多結晶シリコン層を含むことを特徴とする結晶シリコン半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 31/04 A , H01L 31/04 X

Fターム (23件)：

5F051AA03 , 5F051BA14 , 5F051CB04 , 5F051CB12 , 5F051CB24 , 5F051CB29 , 5F051DA04 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5F051FA19 , 5F051GA02 , 5F051GA03 , 5F052AA17 , 5F052CA10 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB03 , 5F052DB04 , 5F052DB07 , 5F052EA13 , 5F052GB05 , 5F052JA09

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