特許
J-GLOBAL ID:200903068881450037

水素化物ガス流の精製方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-574456
公開番号(公開出願番号):特表2002-526369
出願日: 1999年09月24日
公開日(公表日): 2002年08月20日
要約:
【要約】(それらの低級アルキルアナログを含めた)水素化物ガスからのガス状汚染物(特に酸素、二酸化炭素および水蒸気)の100ppb以下汚染物濃度に低下させる汚染除去のためのプロセスおよび装置が記載される。非常に重要な成分は減少した金属活性部位を持つ高表面積金属酸化物基材であり、これは、種々の物理的形態において、水素化物ガスによって有害に影響される事なく、かかるガスを100ppb以下、50ppb以下または10ppb以下レベルまで汚染除去することができる。基材の表面積は100m2/g以上、好ましくは200-800m2/gであろう。種々の金属、特にマンガンまたはモリブデンの酸化物を用いることができ、一体化された酸化物の混合物、またはもう1つのタイプ上にコートされた1つのタイプの酸化物を用いることもできる。基材は、好ましくは、ガスーまたは蒸気-蒸着製造ユニットのようなガス供給ラインに装備された水素化物-ガス-抵抗性容器に保持される。本発明は、高純度LED、レーザ(特に青色レーザ)、エレクトロニック、光学または同様の製品のガス-または蒸気-蒸着形成を意図した水素化物ガス流のための最終汚染除去を提供し、上流の予備的汚染除去プロセスおよび/または上流または下流固体粒状物除去ユニットと組み合わせて使用することができる。
請求項(抜粋):
水素化物ガス流と、減少した金属活性部位を有するある量の高表面積金属酸化物基材とを、それとの反応またはその上への吸着によって前記基材上に汚染物を隔離し、前記ガス流中の前記汚染物の濃度を100ppb以下まで低下させるのに十分な時間接触させ、前記基材は少なくとも100m2/gの表面積を有し、前記高表面積基材は前記水素化物ガスによって実質的に影響されないことを特長とする水素化物ガスのガス流から汚染物を除去する方法。
IPC (8件):
C01B 3/56 ,  B01D 53/02 ,  B01J 20/06 ,  B01J 20/28 ,  B01J 20/30 ,  C01B 6/34 ,  C01C 1/12 ,  H01L 21/205
FI (8件):
C01B 3/56 Z ,  B01D 53/02 Z ,  B01J 20/06 C ,  B01J 20/28 Z ,  B01J 20/30 ,  C01B 6/34 ,  C01C 1/12 Z ,  H01L 21/205
Fターム (44件):
4D012BA01 ,  4D012CA01 ,  4D012CA03 ,  4D012CA20 ,  4D012CB03 ,  4D012CF05 ,  4D012CG01 ,  4D012CG02 ,  4D012CK10 ,  4G040FA04 ,  4G040FB02 ,  4G040FB03 ,  4G040FB04 ,  4G040FC01 ,  4G040FD07 ,  4G040FE01 ,  4G066AA13B ,  4G066AA16B ,  4G066AA17B ,  4G066AA23B ,  4G066AA24B ,  4G066AA25B ,  4G066AA26B ,  4G066AA27B ,  4G066BA03 ,  4G066BA09 ,  4G066BA26 ,  4G066CA35 ,  4G066CA37 ,  4G066CA43 ,  4G066DA05 ,  4G066FA18 ,  4G066FA37 ,  4G140FA04 ,  4G140FB02 ,  4G140FB03 ,  4G140FB04 ,  4G140FC01 ,  4G140FD07 ,  4G140FE01 ,  5F045AA04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045BB14
引用特許:
審査官引用 (3件)

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