半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124928
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316165
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】1回のリソグラフィ工程により、局所チャネル注入領域となる拡散層と、この拡散層を自己整合的に覆うゲート電極とを形成する。【構成】ネガ型のEBレジスト膜107aを形成した後、ゲート電極形成予定領域直下のP型シリコン基板101a表面にボロンのFIBを照射してP型チャネル注入領域122aとレジスト膜露光部117aとを形成する。レジスト膜露光部117aをマスクにしたパターニングにより多結晶シリコン膜パターン116aを形成し、N型不純物のイオン注入を行なってN型拡散層132aを形成し,多結晶シリコン膜パターン116aをゲート電極126aに変換する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に薄膜を形成し、該薄膜の表面上に電子線用のレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の所定領域に所要導電型の不純物からなる収束イオン線を照射し、該所定領域直下の前記半導体基板の表面に所要導電型の拡散層を形成する工程と、前記レジスト膜を現像し、レジスト膜パターンを残置する工程と、前記レジスト膜パターンをマスクにして、前記薄膜をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 , H01L 21/027 , H01L 21/31 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/265 S , H01L 21/31 , H01L 21/30 541 P , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-247023
特開昭61-247023
特開平2-002604

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