特許

J-GLOBAL ID：200903068887462320

位相シフトマスクの欠陥修正方法

発明者： 須田 秀喜
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082733
公開番号（公開出願番号）：特開平8-278627
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 位相シフトマスクの欠落欠陥及び余剰欠陥を簡単な工程で比較的安価な設備によって修正する。【構成】 材料ガス5としてSiH4 及びO2 ガスを欠落欠陥部4aに吹き付けながら集光された赤外光域のレーザ光6を欠落欠陥部4aに照射し、SiO2 膜を堆積させる。これによって、欠落欠陥部4aにはSiO2 膜が堆積して堆積部7aが形成され、欠落欠陥部4aが修正される。このような修正された堆積部7aはその後の位相シフトマスクの洗浄にも何等変化がなく、実際のウェハー上への転写もされない。

請求項（抜粋）：

マスク基板上に所定のシフタ層が形成された位相シフトマスクの前記シフタ層の欠落欠陥部を修正する位相シフトマスクの欠陥修正方法において、前記欠落欠陥部に前記シフタ層と同程度の屈折率の物質を生成する材料ガスを噴射すると共に、赤外光域のレーザ光を照射し、前記物質を前記欠落欠陥部に堆積させて前記欠落欠陥部を修正することを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 T ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528