特許
J-GLOBAL ID：200903068890090248
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206470
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【構成】高濃度N型シリコン基板1にN型エピタキシャル層2を成長して酸化膜3を形成する。その上にゲート電極9、バックゲート層4、高濃度N型ソース5を形成する。さらに高濃度N型ソース5に対してバックゲート層4に連なる高濃度P型層7を交互に配列する。その上にソースコンタクト8aを開口して、まとめてソース電極10が形成される。【効果】バックゲートに連なる高濃度P型層を形成するための横幅を確保する必要がない。素子間隔を狭めてチップサイズを縮小することができる。目合わせでソースコンタクトがずれても、バックゲートをソース電極にオーミック接続する高濃度P型層と高濃度N型ソースとのコンタクト面積が一定になる。コンタクト抵抗を一定にして電気的特性のばらつきを小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
低濃度一導電型バックゲート層にオーミック接続する高濃度一導電型半導体層と、高濃度逆導電型ソース層とが交互に配列され、前記高濃度一導電型半導体層と前記高濃度逆導電型ソース層とが同一の金属電極で接続されている絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 S
, H01L 29/78 301 X
