特許

J-GLOBAL ID：200903068891440056

半導体装置用ガラス基板の製造方法

発明者： 深田 武 ,  坂本 直哉
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054321
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294668
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板材料にリチウムを添加し、さらにガラス基板を前熱処理することによって熱工程における縮みの影響の少ない半導体装置用のガラス基板を作製する。【構成】 ガラス基板材料としてリチウムが4重量%以上添加された材料を用いガラス基板を作製し、さらにこのガラス基板が使用される最高温度以下の温度で前熱処理することによって、TFT作製工程においても、基板寸法縮みの影響を少なくする。

請求項（抜粋）：

溶融したガラス材料中にリチウムを4重量%以上添加し、前記リチウムが添加されたガラス材料を用いてガラス基板を形成することを特徴とする半導体装置用ガラス基板の製造方法。

IPC (5件)：

C03C 10/00 ,  C03C 4/00 ,  C03C 17/245 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 M