特許
J-GLOBAL ID:200903068892741483

レジスト保護膜用樹脂組成物、レジスト保護膜及びこれを用いたパターン製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-210282
公開番号(公開出願番号):特開平10-120968
出願日: 1997年08月05日
公開日(公表日): 1998年05月12日
要約:
【要約】【課題】 短波長の紫外部まで吸収を持たず、PED効果を抑制する効果の高いレジスト保護膜用樹脂組成物及びレジスト保護膜並びに作業性に優れ、且つ寸法精度の高いパターンの製造法を提供する。【解決手段】 ポリビニルスルホン酸系化合物、水溶性ポリマー及び水を含有してなるレジスト保護膜用樹脂組成物及びレジスト保護膜並びに基板上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜に所定のパターンを露光する工程及び露光後前記レジストを現像する工程を含むパターンの製造法において、露光前にレジスト膜上に前記レジスト保護膜用組成物を用いて、レジスト保護膜を形成する工程を含むことを特徴とするパターンの製造法。
請求項(抜粋):
ポリビニルスルホン酸系化合物、水溶性ポリマー及び水を含有してなるレジスト保護膜用樹脂組成物。
IPC (10件):
C09D141/00 ,  C09D129/04 ,  C09D129/10 ,  C09D131/04 ,  C09D133/02 ,  C09D139/06 ,  C09D171/02 ,  C09D201/00 ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/027
FI (10件):
C09D141/00 ,  C09D129/04 ,  C09D129/10 ,  C09D131/04 ,  C09D133/02 ,  C09D139/06 ,  C09D171/02 ,  C09D201/00 ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/30 575

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