特許

J-GLOBAL ID：200903068894016883

多孔質炭化珪素焼結体の製造方法

発明者： 露木 龍也 ,  市島 雅彦
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228372
公開番号（公開出願番号）：特開2002-037682
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 成形工程におけるゲル化時間の制御および短縮を図ることができ、また、気孔率が高く、かつ、強度の向上を図ることができる多孔質炭化珪素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素粉末に、炭素粉末、熱硬化性樹脂、分散剤および水を混合し、スラリーを調製する工程と、前記スラリーにエポキシ樹脂を添加し、ゲル化させて成形する工程と、前記成形工程により得られた成形体を乾燥させ、硬化させる工程と、前記硬化工程により得られた硬化体を脱脂した後、焼成する工程と、前記焼成工程により得られた焼成体にシリコンを含浸させる工程と、前記含浸工程により得られた含浸体から未反応のシリコンを除去する工程とを含むことを特徴とする多孔質炭化珪素焼結体の製造方法を用いる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素粉末に、炭素粉末、熱硬化性樹脂、分散剤および水を混合し、スラリーを調製する工程と、前記スラリーにエポキシ樹脂を添加し、ゲル化させて成形する工程と、前記成形工程により得られた成形体を乾燥させ、硬化させる工程と、前記硬化工程により得られた硬化体を脱脂した後、焼成する工程と、前記焼成工程により得られた焼成体にシリコンを含浸させる工程と、前記含浸工程により得られた含浸体から未反応のシリコンを除去する工程とを含むことを特徴とする多孔質炭化珪素焼結体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 38/06 ,  C04B 35/573

FI (2件)：

C04B 38/06 E ,  C04B 35/56 101 V

Fターム (12件)：

4G001BA22 ,  4G001BA60 ,  4G001BA78 ,  4G001BB22 ,  4G001BB60 ,  4G001BB62 ,  4G001BC33 ,  4G001BC34 ,  4G001BC52 ,  4G001BD14 ,  4G001BE33 ,  4G001BE34