特許
J-GLOBAL ID：200903068903249454
高耐圧ショットキー・ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037995
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252380
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 リーク電流の増加や順方向の多大な電圧降下を招くことがなく、安定した動作を確実に実現することを可能にした、炭化珪素を用いた高耐圧ショットキー・ダイオードを提供する。【構成】 炭化珪素基板1上に、 n型炭化珪素層2からなる活性層を設ける。 n型炭化珪素層2上には、ショットキー電極3を接続し、炭化珪素基板1側にはオーミック電極4を接続する。ショットキー電極3は、ショットキー障壁φ<SB>B </SB>が0.868× V<SB>b </SB><SP>-0.222</SP>-(kT/q)ln{P<SB>r </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>・ V<SB>b </SB>)}<φ<SB>B </SB><V<SB>F </SB>-{(3.31×10<SP>-11 </SP>/μ)V<SB>b </SB><SP>3.33</SP>+ r<SB>s </SB>}J<SB>F </SB>-(kT/q)ln{J<SB>F </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>)}( V<SB>F </SB>は順方向電圧降下、 V<SB>b </SB>は降伏電圧、 J<SB>F </SB>は順方向電流密度、 P<SB>r </SB>は最大損失、 Tは温度、 r<SB>s </SB>は基板抵抗、 A<SP>* </SP>はリチャードソン定数、 kはボルツマン定数、 qは素電荷、μは移動度)の関係を満足する。
請求項（抜粋）：
n型炭化珪素からなる活性層と、ショットキー障壁φ<SB>B </SB>が 0.868× V<SB>b </SB><SP>-0.222</SP>-(kT/q)ln{P<SB>r </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>・ V<SB>b </SB>)}<φ<SB>B </SB>< V<SB>F </SB>-{(3.31×10<SP>-11 </SP>/μ)V<SB>b </SB><SP>3.33</SP>+ r<SB>s </SB>}J<SB>F </SB>-(kT/q)ln{J<SB>F </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>)}(式中、 V<SB>F </SB>は順方向電圧降下、 V<SB>b </SB>は降伏電圧、 J<SB>F </SB>は順方向電流密度、 P<SB>r</SB>は最大損失、 Tは温度、 r<SB>s </SB>は基板抵抗、 A<SP>* </SP>はリチャードソン定数、 kはボルツマン定数、 qは素電荷、μは移動度である)を満足するショットキー電極とを具備することを特徴とする高耐圧ショットキー・ダイオード。
IPC (2件)：
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