特許

J-GLOBAL ID：200903068906191503

酸化膜形成方法およびこれを用いた半導体製造方法

発明者： 松 熊 茂 一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163809
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031813
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】炉芯管を密閉し、酸化種として所定量の純水を用いることにより、100°C〜800°Cの比較的低温、好ましくは200°C〜600°Cの低温度範囲で、1気圧以上、好ましくは4気圧以上の高水蒸気分圧の水蒸気雰囲気を作りだすことができ、電界律速による反応酸化ではなく、反応律速の-OH置換による安定した薄い酸化膜を形成することができる酸化膜形成方法の提供。【構成】炉芯管の内部に半導体基板を配置し、前記炉芯管を密封し、前記炉芯管の内部に所定量の純水を供給し、前記炉芯管を加熱して、前記炉芯管の内部を温度100°C〜800°Cかつ1気圧以上の水蒸気分圧をもつ水蒸気雰囲気にし、前記半導体基板を前記水蒸気雰囲気に所定時間放置することにより、前記半導体基板に薄い酸化膜を形成することにより、上記目的を達成する。

請求項（抜粋）：

炉芯管の内部に半導体基板を配置し、前記炉芯管を密封し、前記炉芯管の内部に所定量の純水を供給し、前記炉芯管を加熱して、前記炉芯管の内部を温度100°C〜800°Cかつ1気圧以上の水蒸気分圧をもつ水蒸気雰囲気にし、前記半導体基板を前記水蒸気雰囲気に所定時間放置することにより、前記半導体基板に薄い酸化膜を形成することを特徴とする酸化膜形成方法。