特許

J-GLOBAL ID：200903068906636343

半導体素子及びその製造方法

発明者： 折田 賢児
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-207870
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043970
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】p型不純物が導入された窒化物半導体におけるp型不純物の活性化率を安定して向上できるようにする。【解決手段】半導体素子は、第1のIII族窒化物半導体からなるMQW活性層43と、p型不純物がドーピングされた第2のIII族窒化物半導体からなるp型コンタクト層45とを有している。p型コンタクト層45には、ハロゲン元素、例えばフッ素又は塩素が導入されている。【選択図】 図19

請求項（抜粋）：

p型不純物がドーピングされたIII族窒化物半導体からなる半導体層を備え、 前記半導体層は、ハロゲン元素が導入されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

Fターム (20件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CA73 ,  5F173AA08 ,  5F173AA13 ,  5F173AH22 ,  5F173AL13 ,  5F173AL19 ,  5F173AP53 ,  5F173AP63 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR23 ,  5F173AR62

引用特許：

出願人引用 (3件)

• III-N系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-266479   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-257679号公報
  
• ICカード用ICモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-340148   出願人：凸版印刷株式会社