特許
J-GLOBAL ID:200903068909534258

回折光学素子などの素子の製造方法、および該回折光学素子を有する光学系、投影露光装置、半導体デバイス等の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長尾 達也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-102465
公開番号(公開出願番号):特開2001-290015
出願日: 2000年04月04日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】ハードマスクのオーバーエッチングによって光学基板がエッチングされることを防止することができ、光学性能の良好な高精度の回折光学素子などの素子の製造方法、および該回折光学素子を有する光学系、投影露光装置、半導体デバイス等の製造方法を提供する。【解決手段】多段階段状パターンを有する素子の製造方法において、エッチングにより基板上にハードマスクのパターンを形成し、該パターンを基準にして前記多段階段状パターンを形成する段階を有し、前記ハードマスクのパターンを形成する際に、前記ハードマスクのための材料層と基板との間にエッチングストッパー層を設けて、エッチングを行う。
請求項(抜粋):
多段階段状パターンを有する素子の製造方法において、エッチングにより基板上にハードマスクのパターンを形成し、該パターンを基準にして前記多段階段状パターンを形成する段階を有し、前記ハードマスクのパターンを形成する際に、前記ハードマスクのための材料層と基板との間にエッチングストッパー層を設けて、エッチングを行うことを特徴とする素子の製造方法。
IPC (3件):
G02B 5/18 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G02B 5/18 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 515 D
Fターム (12件):
2H049AA04 ,  2H049AA14 ,  2H049AA37 ,  2H049AA41 ,  2H049AA45 ,  2H049AA50 ,  2H049AA53 ,  2H049AA55 ,  2H049AA63 ,  5F046BA03 ,  5F046CB27 ,  5F046DA12

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