特許

J-GLOBAL ID：200903068914143321

真空処理装置

発明者： 岡田 光一 ,  大西 慶太 ,  小野 桂一郎 ,  林 浩一 ,  久本 淳
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193465
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023908
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 真空処理装置におけるシール面に対する耐食性の向上を図るとともに、シール面の加工工数を省略することによってコストの低減を可能とする。【解決手段】 少なくとも真空処理室および該室のゲートバルブをアルミまたはアルミ合金で構成するとともに、その構成部材が衝合するシール面を含む部分に対してシュウ酸陽極酸化処理皮膜の膜厚を 5μm 以上形成せしめ、かつ、該陽極酸化処理皮膜の表面粗度(Ry)を 1.6μm 以下となるように調整せしめた。

請求項（抜粋）：

CVD装置、PVD装置、あるいは、ドライエッチング装等の真空処理装置において、少なくとも真空処理室および該室のゲートバルブをアルミまたはアルミ合金で構成するとともに、その構成部材が衝合するシール面を含む部分に対してシュウ酸陽極酸化処理皮膜の膜厚を 5μm 以上形成せしめ、かつ、該陽極酸化処理皮膜の表面粗度(Ry)を 1.6μm 以下となるように調整せしめたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  F16K 51/02

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 C ,  C23C 16/44 B ,  C23F 4/00 A ,  F16K 51/02 Z ,  H01L 21/302 C

Fターム (31件)：

3H066AA03 ,  3H066AA07 ,  3H066BA18 ,  3H066BA19 ,  4K029BD01 ,  4K029DA01 ,  4K029DA02 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030KA10 ,  4K030KA28 ,  4K057DA19 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DM01 ,  4K057DM40 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F045BB08 ,  5F045EB03 ,  5F045EB09 ,  5F045EB10 ,  5F045EC05 ,  5F045EH01 ,  5F045EH14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-103377
  
• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302486   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• 特開昭62-103377