特許

J-GLOBAL ID：200903068923341853

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者： 片山 克生 ,  小町 恭一 ,  飯尾 浩一 ,  秋元 健司
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-327637
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063794
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置に装備された導電体板31が配設されたマイクロ波導入窓14を長時間使用すると、マイクロ波導入窓14と導電体板31との間に隙間が生じて異常放電が発生し易くなり、またマイクロ波導入窓14の一部は直接プラズマに曝されるため、特に石英ガラス製のマイクロ波導入窓14は侵食され易いという課題があった。【解決手段】 マイクロ波発振器23と、マイクロ波を伝送する導波管22と、導波管22に接続された誘電体線路21と、誘電体線路21に対向配置されたマイクロ波導入窓14を有する反応器11と、反応器11内に配設された試料保持部15aとを備えたマイクロ波プラズマ処理装置に装備された導電性薄膜24、又は導電性薄膜24と絶縁性薄膜25とで被覆されているマイクロ波導入窓14を使用する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に配設された試料保持部とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入窓の試料保持部側が導電性薄膜で部分的に被覆されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/35 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 14/35 F ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-236327
  
• 特開平4-048596