特許

J-GLOBAL ID：200903068929497430

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中林 隆 ,  上原 隆 ,  篠原 昭平
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279875
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198686
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 NMOS、PMOS分離間隔を拡げることなく、N型多結晶シリコン配線とP型多結晶シリコン配線を接続する。【構成】 NMOS、PMOS間の分離領域4上でN型多結晶シリコン配線9とP型多結晶シリコン配線12を切り離し、両多結晶シリコン配線双方に跨るコンタクト孔を16開口し、このコンタクト孔16内で金属配線17を用いて両者を接続する。【効果】 工程数を増やすことなく、不純物の相互拡散によるトランジスタ特性の変動を防止し、集積化されたデュアルゲートのデバイスを実現することができる。

請求項（抜粋）：

N型ゲート電極配線及びソース、ドレイン拡散層を有したN型MOSトランジスタと、前記N型ゲート電極配線と分離するP型ゲート電極配線及びソース、ドレイン拡散層を有したP型MOSトランジスタと、前記N型ゲート電極配線と前記P型ゲート電極配線双方に跨って開口されたコンタクト孔と、前記コンタクト孔内で前記N型ゲート電極配線及び前記P型ゲート電極配線に接続された金属配線とを具備した半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/092

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-203366
  
• 特開平2-239656
  
• 特開平2-226746