特許
J-GLOBAL ID：200903068930636850
マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263391
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118622
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 異なる不純物濃度の拡散領域の同時形成を可能ならしめるようなパターンを有するマスクを用いて複数の異なる不純物濃度の拡散領域を一回のイオン打込み工程で形成する。【構成】 半導体ウェハ2に形成すべき拡散領域20a,20b,20cに対応して、マスク1にパターン部分10a,10b,10cが夫々設けられ、パターン部分10b,10cが遮光部11b,11cと透光部12b,12cとによりメッシュ状に細分化され、それらの面積比が不純物濃度に対応した比となるように構成されている。このマスク1を用いてレジスト3にイオン打込み用マスク4を作ることにより、一回のイオン打込み工程において複数の異なる不純物濃度の拡散領域20a,20b,20cを同時に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハに形成される複数箇所の拡散領域の配設パターンに対応するパターンを有するマスクであって、前記複数箇所の拡散領域のうち少なくとも一箇所の拡散領域に対応するパターン部分が、露光光を透過させる複数の透光部と露光光の透過を妨げる複数の遮光部とに細分化され、かかる透光部と遮光部の面積比が拡散領域の不純物濃度に応じた比を成すように設定されていることを特徴とするマスク。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, H01L 21/22
, H01L 21/266
, H01L 21/32
