特許
J-GLOBAL ID：200903068933422959
薄膜ELパネルの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-040906
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236272
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 EL発光層を溶かすことなく、上部電極をパターン形成する。【構成】 絶縁性基板2上に、下部電極3、第1絶縁層4、EL発光層5、第2絶縁層6および上部電極7をこの順番に積層して薄膜ELパネル1が構成される。上部電極7は、当該電極7がAlから成る場合、第2絶縁層6までが形成された基板にAl膜を全面に成膜した後、燐酸:硝酸:硫酸=10:1:11(体積比)で混合されたエッチング液でパターン形成される。また、前記上部電極7がITOから成る場合、ITO膜が、塩化第二鉄:塩酸:硫酸=1:1:2(体積比)で混合されたエッチング液でパターン形成される。このようなエッチング液を使用すると、EL発光層5の母材が耐酸性の低い材料から成る場合であっても、EL発光層5を溶解することなく、上部電極7を形成することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一方表面側に配置され、少なくともいずれか一方が透光性を有し、所定のパターン状に形成される一対の電極と、前記一対の電極の間に配置され、母材と当該母材に添加される発光中心とを含むEL層を有するEL発光層と、前記EL発光層と、前記一対の電極のうちの少なくともいずれか一方の電極との間に配置される絶縁層とを含む薄膜ELパネルの製造方法において、EL発光層形成後に形成される前記一対の電極のうちの上部電極は、硫酸イオンを含むエッチング液を用いたエッチング法によってパターン形成されることを特徴とする薄膜ELパネルの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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