特許
J-GLOBAL ID:200903068934826697
材料加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-134897
公開番号(公開出願番号):特開2004-338137
出願日: 2003年05月13日
公開日(公表日): 2004年12月02日
要約:
【課題】脆性材料を所望の形状に加工する除去加工において、品質面(加工精度、チッピング等の欠陥のないこと)とコスト面(加工速度、装置コスト)との両方を満足させることができる材料加工方法を提供する。【解決手段】被加工物10の表面に別部材12の裏面を密着させ、別部材12の表面側よりパターン状の除去加工を開始し、被加工物10の表面より所定深さまでパターン状の除去加工を行う。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被加工物の表面に別部材の裏面を密着させ、
前記別部材の表面側よりパターン状の除去加工を開始し、前記被加工物の表面より所定深さまでパターン状の除去加工を行うことを特徴とする材料加工方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (3件):
3C069BA04
, 3C069CA11
, 3C069EA05
引用特許:
審査官引用 (24件)
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特開昭61-058703
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特開昭61-058703
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特開平2-008015
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特開平2-008015
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特公平2-023324
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特開昭54-089473
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特開平3-215822
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狭幅切断及び狭幅溝加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-015492
出願人:シチズン時計株式会社
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微細加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-084169
出願人:日本電装株式会社
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特公平2-023324
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特開平3-215822
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磁気ヘッドの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-168122
出願人:株式会社ジャパンエナジー
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半導体基板ダイシング法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-328553
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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セラミックチップの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-238219
出願人:株式会社トクヤマ
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特開昭54-089473
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光変調装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-165142
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開平2-241688
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特開平2-241688
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特開昭61-058703
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特開平2-008015
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特公平2-023324
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特開平3-215822
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特開昭54-089473
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特開平2-241688
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