特許
J-GLOBAL ID：200903068937869605

設備制御システム

発明者：
田中 克知

田中 克知 について

, 
村山 秀一

村山 秀一 について


出願人/特許権者：
横河電機株式会社

横河電機株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324221
公開番号（公開出願番号）：特開2001-137835
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：
【要約】【課題】 沈殿槽、浄水設備、下水処理設備等の制御効率を向上させた設備制御システムを実現する。【解決手段】 界面レベルをレーザレベル計で測定し、このレーザレベル計の測定距離をもとに各種設備で行う処理を制御する。
請求項（抜粋）：
沈殿槽に溜まった沈殿物の引抜きを制御する設備制御システムにおいて、上部より沈殿槽に向けてレーザ光を出射し、沈殿槽内に存在する浮遊物または沈殿物の粒子で反射された光を受光し、前記粒子までの垂直方向の距離を測定するレーザレベル計と、このレーザレベル計の測定距離をもとに粒子の垂直方向の分布を解析する分布解析手段と、この分布解析手段の解析結果から沈殿層と上澄を分ける界面のレベルを算出する界面算出手段と、この界面算出手段で求めた界面レベルをもとに沈殿槽の底に沈んだ沈殿物の引き抜きを制御する引抜制御手段と、を有することを特徴とする設備制御システム。
IPC (8件)：
C02F 1/00 ,  B01D 21/01 ,  B01D 21/24 ,  B01D 21/30 ,  C02F 1/52 ,  C02F 3/12 ZAB ,  G01B 11/00 ,  G01F 23/28
FI (9件)：
C02F 1/00 V ,  C02F 1/00 D ,  B01D 21/01 B ,  B01D 21/24 U ,  B01D 21/30 G ,  C02F 1/52 Z ,  C02F 3/12 ZAB P ,  G01B 11/00 B ,  G01F 23/28 J
Fターム (32件)：
2F014FA01 ,  2F065AA00 ,  2F065AA06 ,  2F065AA09 ,  2F065AA31 ,  2F065CC00 ,  2F065FF11 ,  2F065GG04 ,  2F065GG13 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ09 ,  2F065NN20 ,  2F065PP22 ,  4D015BA21 ,  4D015BA28 ,  4D015BB05 ,  4D015DC02 ,  4D015EA03 ,  4D015EA32 ,  4D028BB01 ,  4D028BC19 ,  4D028CA00 ,  4D028CA15 ,  4D028CD05 ,  4D028CE02 ,  4D062BA21 ,  4D062BA28 ,  4D062BB05 ,  4D062DC02 ,  4D062EA03 ,  4D062EA32
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-056105
  • 特開昭62-095198
  • 特開平4-264235

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