特許

J-GLOBAL ID：200903068938641063

窒化ガリウムの結晶成長方法

発明者： 木村 明隆 ,  砂川 晴夫 ,  仁道 正明 ,  山口 敦史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020623
公開番号（公開出願番号）：特開平9-194299
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：

【要約】【課題】ヒ化ガリウム結晶基板上に、表面が平坦で結晶性のよい窒化ガリウム膜を結晶成長させる。【解決手段】ヒ化ガリウム基板として、ヒ化ガリウム(100)面に対して傾斜した面を表面とし、(100)面を基準として、表面の傾斜角が0°を越えて35°未満であり、かつ表面の傾斜方向が、[0,0,1]方向から[0,-1,1]方向を通り[0,-1,0]方向までの角度範囲内か、この角度範囲に加えて[1,0,0]方向を軸としてこの角度範囲の両側5°以内の範囲内にあるもの、もしくはこれと結晶学的に等価な表面を有するものを使用する。好ましくは、傾斜方向を[0,-1,1]方向の両側5°以内として傾斜角を8°〜18°とするか、傾斜方向を[0,1,0]方向の両側5°以内として傾斜角を3°〜7°とする。

請求項（抜粋）：

ヒ化ガリウム基板上に窒化ガリウム層を形成する窒化ガリウムの結晶成長方法において、前記ヒ化ガリウム基板がその(100)面に対して傾斜した面を表面とし、前記(100)面を基準として、前記表面の傾斜角が0°を越えて35°未満であり、かつ前記表面の傾斜方向が、[0,0,1]方向から[0,-1,1]方向を通り[0,-1,0]方向までの角度範囲内に[1,0,0]方向を軸として前記角度範囲の両側5°以内を加えた範囲内、もしくは前記範囲と結晶学的に等価な範囲内にあり、前記表面上に前記窒化ガリウム層を成長させることを特徴とする窒化ガリウムの結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18