半導体光電変換装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183185
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】半導体光電変換装置に関し、光ファイバとの結合効率を向上させる為に厚い光ガイド層を用いた場合であっても、伝播光を光吸収層に効率良く集光させ得るようにして、光ガイド層を素通りする伝播光を低減させて受光量子効率の向上を実現しようとする。【構成】 n型半導体基板21上に順に積層形成され且つ接合に平行な方向から光が入射されるn型光ガイド層22及びノンドープ光吸収層23及びp型光ガイド層24を備えてなり、該各光ガイド層22及び24の屈折率は光吸収層23に近い側が最も高く且つそこから離隔するにつれて低くなるように分布をもつようにしてある。

請求項（抜粋）：

一導電型化合物半導体基板上に順に積層形成され且つ接合に平行な方向から光が入射される一導電型化合物半導体光ガイド層及びノンドープ化合物半導体光吸収層及び反対導電型化合物半導体光ガイド層を備えてなり、該各光ガイド層の屈折率は光吸収層に近い側が最も高く且つ離隔するにつれて低くなるように分布をもつことを特徴とする半導体光電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , G02B 6/12 , H01L 31/0232

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 31/02 C

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