特許
J-GLOBAL ID:200903068948590807
回路基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-161885
公開番号(公開出願番号):特開2007-335430
出願日: 2006年06月12日
公開日(公表日): 2007年12月27日
要約:
【課題】 特に、相手側端子と電気的に接続される電極の電気抵抗を低く形成出来るとともに耐マイグレーション性を向上させることができ、前記相手側端子と良好な電気的接続を図ることが可能な回路基板及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 絶縁基板2上に形成される電極4を、銀の有機化合物を有する銀ペーストを焼成して形成している。前記焼成により有機物は熱分解し銀が析出し、前記電極4はほぼ銀で形成される。この結果、前記電極4は低抵抗で、しかも半田濡れ性に優れたものとなる。よって電極表面4aを直接、半田6で覆うことが可能であり、前記電極表面4aを半田6で覆ったことで前記電極4の耐マイグレーション性を向上させることが出来、電子部品7の端子部8との電気的接続性を良好なものに出来る。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上に相手側端子と電気的に接続される電極を備えた回路基板において、
前記電極は、銀の有機化合物、銀ナノ粒子、あるいは酸化銀のうち少なくともいずれか1種を有する銀ペーストを焼成して形成されたものであり、
電極表面は半田により覆われていることを特徴とする回路基板。
IPC (5件):
H05K 1/09
, H01B 13/00
, H05K 3/24
, H01L 23/12
, H01L 21/60
FI (5件):
H05K1/09 C
, H01B13/00 503D
, H05K3/24 F
, H01L23/12 Q
, H01L21/60 311Q
Fターム (37件):
4E351AA01
, 4E351AA04
, 4E351AA16
, 4E351BB01
, 4E351BB23
, 4E351BB24
, 4E351BB31
, 4E351BB35
, 4E351CC22
, 4E351CC31
, 4E351DD05
, 4E351DD24
, 4E351DD52
, 4E351EE02
, 4E351EE03
, 4E351EE11
, 4E351GG06
, 4E351GG12
, 4E351GG15
, 5E343AA02
, 5E343AA12
, 5E343AA33
, 5E343BB09
, 5E343BB25
, 5E343BB34
, 5E343BB54
, 5E343BB61
, 5E343BB72
, 5E343DD02
, 5E343ER33
, 5E343ER35
, 5E343GG13
, 5E343GG18
, 5F044KK03
, 5F044KK13
, 5F044LL01
, 5G323CA03
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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