特許
J-GLOBAL ID：200903068954301485
結晶性薄膜製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201380
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058026
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 結晶性Si薄膜を非晶質基板上に作製する為の装置を提供する。【構成】 結晶性Si薄膜を基板上に製造する方法において、基板上の非晶質Si薄膜材料に比較的低エネルギーの希ガス原子ビームを少なくとも2方向から照射するための反射板を設けて、ビームを薄膜にあてて、所望の結晶配向をさせる事を特徴とする結晶性薄膜製造装置。
請求項（抜粋）：
結晶性Si薄膜を基板上に製造する装置において、基板上の非晶質Si薄膜材料に比較的低エネルギーの希ガス原子ビームを少なくとも2方向から照射し、面内での配向を含む所望の結晶配向をさせるための反射板を少なくとも有することを特徴とする結晶性薄膜製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 29/06
, H01L 21/20
