特許

J-GLOBAL ID：200903068956106574

ドライエッチング方法および装置

発明者： 野 中 幹 男 ,  武 藤 真
出願人/特許権者： 株式会社芝浦製作所
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175344
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045904
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 基板裏面に堆積した薄膜の除去工程数を減少して生産性の向上を図る。【構成】 真空容器2内の空間をガス拡散防止板5でエッチング空間21と非エッチング空間22とに仕切る。そして、ハロゲン元素を含む活性種を基板20の裏面20bに吹き付け、水蒸気またはOH基を含むガスを基板20の表面20aに吹き付ける。これにより、基板20の表面20aをエッチングせずに、基板20の裏面20bに堆積された各種の薄膜をハロゲン元素を含む活性種でエッチングして除去する。したがって、基板20の表面20aに高分子有機膜を被覆せずに基板20の裏面20bに堆積された各種の薄膜のみを除去することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一方の面に被処理膜が堆積された基板から前記一方の面に堆積された被処理膜をエッチングで除去するドライエッチング方法において、真空状態に維持された真空容器内にハロゲン元素を含む活性種と、水蒸気またはOH基とを含むガスを供給し、前記ハロゲン元素を含む活性種を前記基板の一方の面に吹き付け、前記水蒸気またはOH基を含むガスを前記基板の他方の面に吹き付けることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-197123