特許

J-GLOBAL ID：200903068958987578

スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： 高原 俊也 ,  近藤 昭夫
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032122
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225933
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】スパッタリングで得られる膜中の窒素及び炭素濃度が一定となる炭化窒化クロムターゲットを提供する。【構成】窒素含有量が1〜12wt% の窒化クロム粉末と二炭化三クロム粉末及び金属クロム粉末を混合、成形し、熱間静水圧プレス法で焼結して炭素含有量が0.1〜5wt% で窒素含有量が1〜10wt% であるスパッタリングターゲットを製造する。

請求項（抜粋）：

実質的にクロム、炭素及び窒素からなり、炭素含有量が0.1〜5wt% 、窒素含有量が1〜10wt% であるスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/06 H ,  G03F 1/08 G ,  H01L 21/203 S