特許

J-GLOBAL ID：200903068963015827

結晶製造方法

発明者： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  石谷 善博 ,  大歳 創
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051540
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263809
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は,AlGaInN系結晶にて発光素子を良好に作るための結晶製造方法を提供することにある。【構成】 サファイアの{1-100}または{11-20}面を基板結晶11として,その上にまずZnO層12を付け,つづいてAlGaInN系のヘテロ構造13〜17を成長し,ZnO層を酸で溶解してAlGaInN系のヘテロ結晶を分離し,このヘテロ結晶を{0001}面で劈開する工程から成る。【効果】 本発明によれば,ファブリペロキャビティを形成するために欠くことのできない良好な劈開面が得られる。

請求項（抜粋）：

サファイアの{1-100}または{11-20}面のうえにZnO層を成長し,続いてAlGaInN系のダブルヘテロ結晶層を成長し,該ZnO層を酸で溶解して該ダブルヘテロ結晶層を該基板結晶から分離してのち,該ダブルヘテロ結晶層を{0001}面に沿って劈開することを特徴とする結晶製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00