特許

J-GLOBAL ID：200903068963393058

紫外線アニール装置およびアニール方法

発明者： 荒井 三千男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-367562
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195613
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 比較的小型で、簡単な構造の装置であって、ガラス等の比較的高熱に弱い材料も基板として使用可能で、しかも、量産工程での大量なアニール処理にも対応でき、均一な処理品質が得られる紫外線アニール装置を実現する。【解決手段】 基板1上に形成された薄膜2上に、紫外線ランプ5から得られる熱ないし紫外線5aを照射する紫外線照射手段4を有し、前記基板1上に形成された薄膜2は、シリコンを主成分とする半導体薄膜であって、この薄膜2上には黒色層3を有する構成とした。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された薄膜上に、紫外線ランプから得られる熱ないし紫外線を照射する紫外線照射手段を有し、前記基板上に形成された薄膜は、シリコンを主成分とする半導体薄膜であって、この薄膜上には黒色層を有する紫外線アニール装置。

IPC (3件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/26 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 B