特許
J-GLOBAL ID：200903068963746163
積層磁性薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147898
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338409
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 グラニュラ膜を利用した平坦な積層磁性薄膜を得るとともに、これによって磁気異方性の低下を抑制することができる積層磁性薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 積層磁性薄膜10は、グラニュラ薄膜よりなる磁性層16と絶縁層14とを、基板12上に交互に複数成膜した積層構造となっている。前記積層過程において、積層膜の平坦性の低下が、所望の磁気特性に影響を与える前に、成膜作業を一時中断し、CMP装置により絶縁層14の表面を研磨して平坦化処理を施す。そして、平坦化面14A上に、再度磁性層16及び絶縁層14を交互に成膜する。上述した工程を繰り返すことにより、任意の厚さを有する平坦な積層磁性薄膜10を得ることができる。このように平坦な積層磁性薄膜10を得ることにより、強い磁気異方性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
磁性粒子が絶縁体に包み込まれたグラニュラ膜を利用した積層磁性薄膜の製造方法であって、基板上に、絶縁層と前記グラニュラ膜による磁性層とを交互に複数積層する工程,該工程によって積層された最上層の磁性層又は絶縁層の表面を平坦化する工程,該工程によって平坦化された表面上に、更に磁性層又は絶縁層を交互に積層する工程,を含むことを特徴とする積層磁性薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01F 10/30
, H01F 10/16
, H01F 41/18
H01F 10/30
, H01F 10/16
, H01F 41/18
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049GC02
