特許

J-GLOBAL ID：200903068971221665

半導体集積回路装置

発明者： 古山 孝昭
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137197
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335485
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置に関し、出力バッファの電源ラインと他の内部回路の電源ラインを分離した上で、出力バッファのESD耐圧を高めることができる保護回路を簡単な構成によって提供することを目的とする。【構成】入出力端子5を備えた入出力回路1は、高電位側電源ラインVCCおよび低電位側電源ラインVSSから電源を供給されている。そして、高電位側電源ラインVCCおよび低電位側電源ラインVSSと半導体基板2との間には、それぞれ逆バイアスになるように各ダイオード3,4が接続されている。その各ダイオード3,4の接合降服電圧は、定常状態における各電源ラインVCC,VSSと半導体基板2の間の電圧より高くなると共に、入出力回路1の耐電圧より低くなるように設定されている。

請求項（抜粋）：

出力回路(1)の高電位側電源ライン(VCC)および低電位側電源ライン(VSS)と半導体基板(2)との間にはそれぞれ、各ダイオード(3,4)が逆バイアスになるように接続され、その各ダイオード(3,4)の接合降服電圧は、定常状態における各電源ライン(VCC,VSS)と半導体基板(2)の間の電圧より高くなると共に、出力回路(1)の耐電圧より低くなるように設定されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 23/60 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/10 481

FI (2件)：

H01L 23/56 B ,  H01L 27/06 311 B